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金属氧化场效应晶体管
中低压 MOSFET
低压 P-ch (-30V ~ -5V)

低压 P-ch (-30V ~ -5V)

P 沟道 MOSFET 接纳空穴作为载流子,需要栅极到源极的负电才华导通 。因此,它是高边开关的优先选择;并且栅极驱动简朴,可降低整体终端本钱 。

因应消耗电子、工业及电机控制、通讯等终端里的低压电池管理系统 / 充电器、防反接�;ぁ⒏涸乜亍C-DC 转换器等诸多应用,365速发国际最新平台 提供以下列内外的低压 P 沟道 MOSFETs (沟槽 / 屏障栅型沟槽手艺平台) 予电路设计工程师选用 。
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